噪聲的耦合和傳播
共模噪聲是由于不合理的設計產(chǎn)生的。有些典型的原因是不同線對中個別導線的長度不同，或到電源平面或機殼的距離不同。另一個原因是元件的缺陷，如磁感應線圈與變壓器，電容器與有源器件(例如應用特殊的集成電路(ASIC))。
磁性元件，特別是所謂“鐵芯扼流圈”型貯能電感器，是用在電源變換器之中的，總是產(chǎn)生電磁場。磁路中的氣隙相當于串聯(lián)電路中的一個大電阻，那兒要消耗較多的電能。
于是，鐵芯扼流圈，繞制在鐵氧體棒上，在棒周圍產(chǎn)生強的電磁場，在電極附近有最強的場強。在使用回描結(jié)構(gòu)的開關電源中，變壓器上必定有一個空隙， 其間有很強的磁場。在其中保持磁場最合適的元件是螺旋管，使電磁場沿管芯長度方向分布。這就是在高頻工作的磁性元件優(yōu)選螺旋結(jié)構(gòu)的原因之一。
不恰當?shù)娜ヱ铍娐吠ǔＲ沧兂筛蓴_源。如果電路要求大的脈沖電流，以及局部去耦時不能保證小電容或十分高的內(nèi)阻需要，則由電源回路產(chǎn)生的電壓就下降。這相當于紋波，或者相當于終端間的電壓快速變化。由于封裝的雜散電容，干擾能耦合到其它電路中去，引起共模問題。
當共模電流污染I/O接口電路時，該問題必須解決在通過連接器之前。不同的應用，建議用不同的方法來解決這個問題。在視頻電路中，那兒I/O信號是單端的，且公用同一共同回路，要解決它，用小型LC濾波器濾掉噪聲。
在低頻串聯(lián)接口網(wǎng)絡中，有些雜散電容就足夠?qū)⒃肼暦至鞯降装迳?。差分?qū)動的接口，如以太，通常是通過變壓器耦合到I/O區(qū)域，是在變壓器一側(cè)或兩側(cè)的中心抽頭提供耦合的。這些中心抽頭經(jīng)高壓電容器與底板相連，將共模噪聲分流到底板上，以使信號不發(fā)生失真。
在I/O區(qū)域內(nèi)的共模噪聲
沒有一個通用辦法來解決所有類型的I/O接口的問題。設計師們的主要目標是將電路設計好，而常常忽略了一些視為簡單的細節(jié)。一些基本法則能使噪聲在到達連接器以前，降至最?。?br />
1)將去耦電容設置在緊挨負載處。
2)快速變化的前后沿的脈沖電流，其環(huán)路尺寸應最小。
3)使大電流器件(即驅(qū)動器和ASIC)遠離I/O端口。
4)測定信號的完整性，以保證過沖和下沖最小，特別是對于大電流的關鍵性信號(如時鐘，總線)。
5)使用局部濾波，如RF鐵氧體，可吸收RF干擾。
6)提供低阻抗搭接到底板上或在I/O區(qū)域的基準在底板上。 射頻噪聲和連接器
即使工程師采取許多上述所列的預防措施，來減小在I/O區(qū)內(nèi)的RF噪聲，還不能保證這些預防措施能否成功地足夠滿足發(fā)射要求。有些噪聲是傳導干擾，即在內(nèi)部電路板上按共模電流流動。這個干擾源是在底板和電路等之間。
于是，這個RF電流一定通過最低阻抗(在底板和載信號線之間)的通路流動。如果連接器沒呈現(xiàn)足夠低的阻抗(與底板的搭接處)，這RF電流經(jīng)雜散電容流動。當這RF電流流過電纜時，不可避免地產(chǎn)生發(fā)射。
使共模電流注入到I/O區(qū)的另一機理，是附近有強的干擾源的耦合。甚至有些“屏蔽”連接器也無用，因為干擾源就在連接器附近，如PC機環(huán)境。如果在連接器和底板之間有一個缺口，此處所感應的RF電壓可以使EMC性能下降。
屏蔽連接器方法有，加指形簧片或墊片。連接器的搭接，是在連接器和機殼之間填滿空處。這個方法要求有一個襯墊。金屬襯墊較好，只要處理合適，也就是說，只要表面不被污染，只要手不觸及或損壞襯墊以及只要有足夠的壓力，以保持好的、低阻抗的接觸。
別的方法是連接器裝接頭片或者把連接器安裝在機殼上。此時，******接觸面稍微小些，且應嚴格控制接頭片的尺寸和彈性。安裝屏蔽連接器時，在機殼上開口，開口的一側(cè)要去掉油污，要仔細制作，若公差不合適，導致連接器在機殼內(nèi)陷入太深，使搭接中斷。每位EMC工程師知道，在“極好”的系統(tǒng)當中，這個問題一定要滿足發(fā)射要求，并在生產(chǎn)線及時檢查。未緊固的或彎曲的襯墊，安裝于關鍵區(qū)域的油污上，將失效。
由于下述原因選用了EMI連接器
1)導電發(fā)泡塑料是極其柔軟的，且能放在連接器的整個周圍。這就消除了與另一機殼、襯墊有關的問題。
2)機械工程師可以在系統(tǒng)機殼可接收的公差范圍內(nèi)安裝連接器。
3)連接器與機殼實現(xiàn)低阻抗搭接，以保證良好接觸。機殼壁內(nèi)側(cè)上的襯墊，當要涂漆有遮蔽要求時，可以用更柔軟的材料。
4)要求強迫冷卻的設計，襯墊最好有另一特點：連接器和機殼壁之間的縫應密封起來，以減少氣漏。在有塵埃的環(huán)境中，襯墊要起到系統(tǒng)內(nèi)保持干凈。
